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PSMN018-100ESFQ

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PSMN018-100ESFQ
  • Fabricante / Marca
    Nexperia
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    PSMN018-100ESFQ.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    I2PAK
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    18 mOhm @ 15A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    111W (Ta)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3, Short Tab
  • Otros nombres
    934068749127
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1482pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    21.4nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    7V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 53A (Ta) 111W (Ta) Through Hole I2PAK
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    53A (Ta)

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09/10/2024
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