1905063

PSMN3R3-80BS,118

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Especificaciones

Número de pieza

PSMN3R3-80BS,118
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PSMN3R3-80BS,118.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

306W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

1727-7108-2
568-9478-2
568-9478-2-ND
934065177118
PSMN3R380BS118
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8161pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

111nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 120A (Tc) 306W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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Envío
Forma de pago

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09/10/2024

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Fabricantes: Nexperia

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