PSMN5R8-40YS,115

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Especificaciones

Número de pieza

PSMN5R8-40YS,115
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 40V LFPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PSMN5R8-40YS,115.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

LFPAK56, Power-SO8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

5.7 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

89W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Otros nombres

1727-4634-2
568-5594-2
568-5594-2-ND
934064147115
PSMN5R840YS115
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1703pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

28.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 90A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

90A (Tc)

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Forma de pago

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Descripción: MOSFET N-CH 30V QFN3333

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale

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