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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > PSMN8R0-80YLX
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PSMN8R0-80YLX

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PSMN8R0-80YLX
  • Fabricante / Marca
    Nexperia
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    LFPAK56, Power-SO8
  • Serie
    TrenchMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8 mOhm @ 25A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    238W (Ta)
  • Paquete / Cubierta
    SC-100, SOT-669
  • Otros nombres
    934069898115
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    8167pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    104nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    80V
  • Descripción detallada
    N-Channel 80V 100A (Ta) 238W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100A (Ta)

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09/10/2024
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