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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > PUMZ1,115
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3467580Imagen PUMZ1,115Nexperia

PUMZ1,115

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75000+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    PUMZ1,115
  • Fabricante / Marca
    Nexperia
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN/PNP 40V 0.1A 6TSSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    PUMZ1,115.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    40V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Tipo de transistor
    NPN, PNP
  • Paquete del dispositivo
    6-TSSOP, SC-88
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    300mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Otros nombres
    1727-5239-2
    568-6556-2
    568-6556-2-ND
    934034220115
    PUMZ1 T/R
    PUMZ1 T/R-ND
    PUMZ1,115-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    100MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP, SC-88
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 6V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
    P*MZ1

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

09/10/2024
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Descripción: TRANS 2NPN 50V 0.15A 6TSSOP

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