SI2304DS,215

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Especificaciones

Número de pieza

SI2304DS,215
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI2304DS,215.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-236AB (SOT23)
Serie

TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

117 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

830mW (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

568-5957-2
934056633215
SI2304DS T/R
SI2304DS T/R-ND
SI2304DS,215-ND
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

195pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 1.7A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A (Tc)

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Forma de pago

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