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3181761Imagen 2SK3546G0LPanasonic

2SK3546G0L

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2SK3546G0L
  • Fabricante / Marca
    Panasonic
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2SK3546G0L.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.5V @ 1µA
  • Vgs (Max)
    ±7V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SMini3-F2
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    12 Ohm @ 10mA, 4V
  • La disipación de energía (máximo)
    125mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-89, SOT-490
  • Otros nombres
    2SK3546G0LTR
  • Temperatura de funcionamiento
    125°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    12pF @ 3V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    50V
  • Descripción detallada
    N-Channel 50V 100mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount SMini3-F2
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P

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Descripción: MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS

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Descripción: TRANSISTOR

Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: JFET N-CH 15V 50MA SOT23

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Descripción: MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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Descripción: MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220

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Descripción: MOSFET N-CH 30V .1A VMT3

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Descripción: MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: JFET NCH 30V 200MW 3CP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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