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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > DRA2523Y0L

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DRA2523Y0L

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Especificaciones

Número de pieza

DRA2523Y0L
Fabricante / Marca

Panasonic
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DRA2523Y0L.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor

PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

Mini3-G3-B
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

DRA2523Y0L-ND
DRA2523Y0LTR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

11 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 100mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

1µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA
Número de pieza base

DRA2523

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