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R6020222PSYA

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Especificaciones
  • Número de pieza
    R6020222PSYA
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.75V @ 800A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    200V
  • Paquete del dispositivo
    DO-205AB, DO-9
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    500ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -45°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Chassis, Stud Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 200V 220A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    50mA @ 200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    220A
  • Capacitancia Vr, F
    -
R6020825HSYA

R6020825HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6015KNZC8

R6015KNZC8

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6020425HSYA

R6020425HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R60200-1STRM

R60200-1STRM

Descripción: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Existencias disponibles
R6015KNJTL

R6015KNJTL

Descripción: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R60200-1CR

R60200-1CR

Descripción: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Existencias disponibles
R6018ANJTL

R6018ANJTL

Descripción: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R6020635ESYA

R6020635ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6020622PSYA

R6020622PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6020235ESYA

R6020235ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6020225HSYA

R6020225HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6020625HSYA

R6020625HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6015FNX

R6015FNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R60200-1CRQ

R60200-1CRQ

Descripción: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Existencias disponibles
R6020822PSYA

R6020822PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R60200-1STR

R60200-1STR

Descripción: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Existencias disponibles
R6015KNX

R6015KNX

Descripción: NCH 600V 15A POWER MOSFET

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
R60200-3CR

R60200-3CR

Descripción: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Existencias disponibles
R6020435ESYA

R6020435ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles
R6020422PSYA

R6020422PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.
Existencias disponibles

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