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1525470Imagen 2SK4150TZ-ERenesas Electronics America

2SK4150TZ-E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2SK4150TZ-E
  • Fabricante / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2SK4150TZ-E.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-92
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5.7 Ohm @ 200mA, 4V
  • La disipación de energía (máximo)
    750mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    80pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    3.7nC @ 4V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    250V
  • Descripción detallada
    N-Channel 250V 400mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    400mA (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FI

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Descripción: MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK

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