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3637260Imagen H5N2522LSTL-ERenesas Electronics America

H5N2522LSTL-E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    H5N2522LSTL-E
  • Fabricante / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    H5N2522LSTL-E.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    4-LDPAK
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    180 mOhm @ 10A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    75W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-83
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1300pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    47nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    250V
  • Descripción detallada
    N-Channel 250V 20A (Ta) 75W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    20A (Ta)

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Descripción: INTEGRATED CIRCUIT

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Descripción: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

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Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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