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5146746Imagen NP109N055PUJ-E1B-AYRenesas Electronics America

NP109N055PUJ-E1B-AY

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NP109N055PUJ-E1B-AY
  • Fabricante / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NP109N055PUJ-E1B-AY.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-263
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 55A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.8W (Ta), 220W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de funcionamiento
    175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    10350pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    180nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    55V
  • Descripción detallada
    N-Channel 55V 110A (Ta) 1.8W (Ta), 220W (Tc) Surface Mount TO-263
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    110A (Ta)

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NP1011510000G

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Descripción: 1000 TB SPR CLA 180D B/T

Fabricantes: Anytek (Amphenol Anytek)
Existencias disponibles
RFQ
NP1100SAMCT3G

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Descripción: THYRISTOR 90V 150A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
NP1100SBMCT3G

NP1100SBMCT3G

Descripción: THYRISTOR 90V 250A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
NP100P04PDG-E1-AY

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Descripción: MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
NP11

NP11

Descripción: PLIERS,11",NAIL PULLING

Fabricantes: Apex Tool Group
Existencias disponibles
RFQ
NP109N04PUK-E1-AY

NP109N04PUK-E1-AY

Descripción: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
NP109N04PUJ-E2B-AY

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Descripción: TRANSISTOR

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
NP1100SCT3G

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Descripción: THYRISTOR 90V 100A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
NP100N04PUK-E1-AY

NP100N04PUK-E1-AY

Descripción: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
NP1100SAT3G

NP1100SAT3G

Descripción: THYRISTOR 90V 50A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
NP100N055PUK-E1-AY

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Descripción: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
NP109N055PUJ-E2B-AY

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Descripción: TRANSISTOR

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
NP100P04PLG-E1-AY

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Descripción: MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
NP100P06PLG-E1-AY

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Descripción: MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
NP1100SCMCT3G

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Descripción: THYRISTOR 90V 400A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
NP1100SBT3G

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Descripción: THYRISTOR 90V 80A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
NP109N055PUK-E1-AY

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Descripción: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
NP110N03PUG-E1-AY

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Descripción: MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
NP100P06PDG-E1-AY

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Descripción: MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
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NP109N04PUG-E1-AY

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
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