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NP160N04TDG-E1-AY

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NP160N04TDG-E1-AY
  • Fabricante / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NP160N04TDG-E1-AY.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-263-7
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2 mOhm @ 80A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.8W (Ta), 220W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Temperatura de funcionamiento
    175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    15750pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    270nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    N-Channel 40V 160A (Ta) 1.8W (Ta), 220W (Tc) Surface Mount TO-263-7
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    160A (Ta)

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Descripción: TRANSISTOR

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
NP1800SAT3G

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Descripción: THYRISTOR 170V 50A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
NP1500SCMCT3G

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Descripción: THYRISTOR 140V 400A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
NP15P04SLG-E1-AY

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Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
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Descripción: THYRISTOR 140V 80A SMB

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Descripción: TRANSISTOR

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Descripción: TRANSISTOR

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7

Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7

Fabricantes: Renesas Electronics America
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RFQ
NP18-12FR

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Descripción: BATTERY LEAD ACID 12V 17.2AH

Fabricantes: EnerSys
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Descripción: MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
NP1800SAMCT3G

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Descripción: THYRISTOR 170V 150A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NP1500SAT3G

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Descripción: THYRISTOR 140V 50A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: THYRISTOR 170V 80A DO15

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NP1500SCT3G

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Descripción: THYRISTOR 140V 100A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
NP1500SBMCT3G

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Descripción: THYRISTOR 140V 250A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
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Descripción: MOSFET N-CH 55V 160A TO-263

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
NP1300SCT3G

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Descripción: THYRISTOR 120V 100A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
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