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618581Imagen NP33N06YDG-E1-AYRenesas Electronics America

NP33N06YDG-E1-AY

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NP33N06YDG-E1-AY
  • Fabricante / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NP33N06YDG-E1-AY.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-HSON
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    14 mOhm @ 16.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1W (Ta), 97W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
  • Otros nombres
    NP33N06YDG-E1-AY-ND
    NP33N06YDG-E1-AYTR
  • Temperatura de funcionamiento
    175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3900pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    78nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 33A (Tc) 1W (Ta), 97W (Tc) Surface Mount 8-HSON
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    33A (Tc)

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Descripción: THYRISTOR 320V 250A SMB

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Descripción: THYRISTOR 320V 400A SMB

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NP3500SCT3G

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Descripción: TRANSISTOR

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NP3100SBT3G

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Descripción: THYRISTOR 275V 80A SMB

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Descripción: THYRISTOR 275V 200A SMB

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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