NP52N06SLG-E1-AY

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Especificaciones

Número de pieza

NP52N06SLG-E1-AY
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NP52N06SLG-E1-AY.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

2100pF @ 10V
Tensión - Desglose

TO-252 (MP-3ZK)
VGS (th) (Max) @Id

17.5 mOhm @ 26A, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

-
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs

52A (Tc)
Polarización

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

NP52N06SLG-E1-AY-ND
NP52N06SLG-E1-AYTR
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Número de pieza del fabricante

NP52N06SLG-E1-AY
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

39nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 60V 52A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60V
relación de capacidades

1.2W (Ta), 56W (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "NP52N06SLG-E1-AY".

NP5Q128AE3ESFC0E

Descripción: IC PCM 128M SPI 33MHZ 16SO W

Fabricantes: Micron Technology