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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > R1EX24512BSAS0I#S0
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5897871Imagen R1EX24512BSAS0I#S0Renesas Electronics America

R1EX24512BSAS0I#S0

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Especificaciones
  • Número de pieza
    R1EX24512BSAS0I#S0
  • Fabricante / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8SOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    R1EX24512BSAS0I#S0.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    5ms
  • Suministro de voltaje
    1.8 V ~ 5.5 V
  • Tecnología
    EEPROM
  • Paquete del dispositivo
    8-SOP
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Kb (64K x 8)
  • Interfaz de memoria
    I²C
  • Formato de memoria
    EEPROM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    EEPROM Memory IC 512Kb (64K x 8) I²C 1MHz 550ns 8-SOP
  • Frecuencia de reloj
    1MHz
  • Número de pieza base
    R1EX24512
  • Tiempo de acceso
    550ns

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