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2474553Imagen RJK2009DPM-00#T0Renesas Electronics America

RJK2009DPM-00#T0

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RJK2009DPM-00#T0
  • Fabricante / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RJK2009DPM-00#T0.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-3PFM
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    36 mOhm @ 20A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    60W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-3PFM, SC-93-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2900pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    200V
  • Descripción detallada
    N-Channel 200V 40A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-3PFM
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    40A (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 150V WPAK

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Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: MOSFET N-CH 150V WPAK

Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: MOSFET N-CH 150V W-PAK

Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: MOSFET N-CH 250V 17A TO3P

Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: MOSFET N-CH 250V 65A TO3P

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Descripción: MOSFET N-CH 100V LFPAK

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