RJK4514DPK-00#T0

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Especificaciones

Número de pieza

RJK4514DPK-00#T0
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 450V 22A TO3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RJK4514DPK-00#T0.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-3P
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo)

150W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

46nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

450V
Descripción detallada

N-Channel 450V 22A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta)

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