RJK5030DPD-00#J2

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Especificaciones

Número de pieza

RJK5030DPD-00#J2
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RJK5030DPD-00#J2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

MP-3A
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.6 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

41.7W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 5A (Ta) 41.7W (Tc) Surface Mount MP-3A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

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