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RJS6004WDPK-00#T0

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RJS6004WDPK-00#T0
  • Fabricante / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 20A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RJS6004WDPK-00#T0.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.8V @ 10A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    TO-3P
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    15ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3 Full Pack
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 600V 10A (DC) Through Hole TO-220-3 Full Pack
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    10A (DC)

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Descripción: POT 5K OHM 50W WIREWOUND LINEAR

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 30A

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