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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-IGBTs-módulos > A1P35S12M3-F
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2983492Imagen A1P35S12M3-FSTMicroelectronics

A1P35S12M3-F

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Especificaciones
  • Número de pieza
    A1P35S12M3-F
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.45V @ 15V, 35A
  • Paquete del dispositivo
    ACEPACK™ 1
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    250W
  • Paquete / Cubierta
    Module
  • Otros nombres
    497-17741
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • termistor NTC
    Yes
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    2154pF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • Descripción detallada
    IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 35A 250W Chassis Mount ACEPACK™ 1
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    35A
  • Configuración
    Three Phase Inverter

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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