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LRI64-SBN18/1GE

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Especificaciones
  • Número de pieza
    LRI64-SBN18/1GE
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC EEPROM MEMORY TAG WAFER
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    LRI64-SBN18/1GE.pdf
  • Memoria de escritura
    120b (User)
  • Tecnología
    Passive
  • Estilo
    Inlay
  • normas
    ISO 15693, ISO 18000-3
  • Tamaño / Medidas
    76.00mm x 45.00mm
  • Serie
    LRI64
  • Temperatura de funcionamiento
    -20°C ~ 85°C
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Read/Write
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia
    13.56MHz
  • Descripción detallada
    RFID Tag Read/Write 120b (User) Memory 13.56MHz ISO 15693, ISO 18000-3 Inlay

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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RFQ
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Existencias disponibles
RFQ
LRI2K-SBN18/1GE

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Descripción: IC EEPROM MEMORY TAG WAFER

Fabricantes: STMicroelectronics
Existencias disponibles
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Descripción: IC MEMORY TAG 13.56MHZ 8UFDFPN

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Fabricantes: STMicroelectronics
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LRI2K-SBN18/2GE

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Descripción: IC EEPROM MEMORY TAG WAFER

Fabricantes: STMicroelectronics
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Descripción: IC MEMORY TAG 13.56MHZ 8UFDFPN

Fabricantes: STMicroelectronics
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Descripción: SENSOR LINEAR 101.6MM CABLE

Fabricantes: Alliance Sensors Group a div of HG Schaevitz LLC
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LRI2K-W4/3GE

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Descripción: IC EEPROM 2048BIT 97PF 8UFDFPN

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Descripción: IC MEMORY TAG 64BIT ADHESIVE ANT

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Descripción: SENSOR LINEAR 152.4MM CABLE

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Descripción: SENSOR LINEAR 50.8MM CABLE

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