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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > M30LW128D110N6
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3942683Imagen M30LW128D110N6STMicroelectronics

M30LW128D110N6

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Existencias disponibles
576+
$23.276
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Especificaciones
  • Número de pieza
    M30LW128D110N6
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    M30LW128D110N6.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    110ns
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FLASH
  • Paquete del dispositivo
    56-TSOP
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Otros nombres
    497-1719
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH Memory IC 128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16) Parallel 110ns 56-TSOP
  • Número de pieza base
    M30LW128D
  • Tiempo de acceso
    110ns

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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Descripción: CAP CER 1UF 50V X7R RADIAL

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
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Descripción: CAP CER 0.22UF 50V X7R RADIAL

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Descripción: CAP CER 1UF 50V X7R RADIAL

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Descripción: CAP CER 1UF 50V X7R RADIAL

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Descripción: CAP CER 1UF 50V X7R RADIAL

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