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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > M68AW256ML70ND6T
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5630642Imagen M68AW256ML70ND6TSTMicroelectronics

M68AW256ML70ND6T

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Especificaciones
  • Número de pieza
    M68AW256ML70ND6T
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    M68AW256ML70ND6T.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    70ns
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SRAM - Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Otros nombres
    497-1740-2
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Mb (256K x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 70ns 44-TSOP II
  • Número de pieza base
    M68AW256M
  • Tiempo de acceso
    70ns

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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Descripción: OSC VCSO 622.08/672.1627MHZ

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)
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