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1064245Imagen NAND01GW3B2AZA6ESTMicroelectronics

NAND01GW3B2AZA6E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NAND01GW3B2AZA6E
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    NAND01GW3B2AZA6E.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    30ns
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FLASH - NAND
  • Paquete del dispositivo
    63-VFBGA (9x11)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    63-TFBGA
  • Otros nombres
    497-5036
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    1Gb (128M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 30ns 63-VFBGA (9x11)
  • Número de pieza base
    NAND01G
  • Tiempo de acceso
    30ns

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27/09/2024
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