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4771451Imagen PD20010S-ESTMicroelectronics

PD20010S-E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PD20010S-E
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    PD20010S-E.pdf
  • Voltaje - Prueba
    13.6V
  • Tensión - Calificación
    40V
  • Tipo de transistor
    LDMOS
  • Paquete del dispositivo
    PowerSO-10RF (Straight Lead)
  • Serie
    -
  • Alimentación - Salida
    10W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
  • Otros nombres
    PD20010SE
  • Figura de ruido
    -
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ganancia
    11dB
  • Frecuencia
    2GHz
  • Descripción detallada
    RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Straight Lead)
  • Valoración actual
    5A
  • Corriente - Prueba
    150mA
  • Número de pieza base
    PD20010

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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