SCT20N120

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Especificaciones

Número de pieza

SCT20N120
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SCT20N120.pdf
2.SCT20N120.pdf
3.SCT20N120.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 1mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
Tecnología

SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo

HiP247™
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

290 mOhm @ 10A, 20V
La disipación de energía (máximo)

175W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

497-15170
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 400V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

45nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

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SCT2160KEC

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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