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948191Imagen STB120N4F6STMicroelectronics

STB120N4F6

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STB120N4F6
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STB120N4F6.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    D2PAK
  • Serie
    DeepGATE™, STripFET™ VI
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4 mOhm @ 40A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    110W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    497-10768-1
    497-10768-5
    497-10768-5-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3850pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    40V
  • Descripción detallada
    N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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