STB3N62K3

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Especificaciones

Número de pieza

STB3N62K3
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STB3N62K3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

SuperMESH3™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.5 Ohm @ 1.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

45W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

497-8476-6
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

385pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

13nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

620V
Descripción detallada

N-Channel 620V 2.7A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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