STB70NH03LT4

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Especificaciones

Número de pieza

STB70NH03LT4
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STB70NH03LT4.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

STripFET™ III
RDS (Max) @Id, Vgs

9.5 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

858W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

21nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 60A (Tc) 858W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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STB6NK60ZT4

Descripción: MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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