STD150NH02LT4

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Especificaciones

Número de pieza

STD150NH02LT4
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 24V 150A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STD150NH02LT4.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

STripFET™ III
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo)

125W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

497-4750-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4450pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

93nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

24V
Descripción detallada

N-Channel 24V 150A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

150A (Tc)

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STD15N65M5

Descripción: MOSFET N CH 650V 11A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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