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2136991Imagen STD1HNC60T4STMicroelectronics

STD1HNC60T4

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STD1HNC60T4
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    STD1HNC60T4.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    DPAK
  • Serie
    PowerMESH™ II
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5 Ohm @ 1A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    50W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    497-2485-1
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    228pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    15.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 2A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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