STD30NE06L

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Especificaciones

Número de pieza

STD30NE06L
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STD30NE06L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

28 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

55W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2370pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

41nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 30A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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STD30PF03L-1

Descripción: MOSFET P-CH 30V 24A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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