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4087892Imagen STE30NK90ZSTMicroelectronics

STE30NK90Z

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STE30NK90Z
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STE30NK90Z.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 150µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    ISOTOP®
  • Serie
    SuperMESH™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    260 mOhm @ 14A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    500W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    ISOTOP
  • Otros nombres
    497-4336-5
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    12000pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    490nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    900V
  • Descripción detallada
    N-Channel 900V 28A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    28A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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