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4260282Imagen STGB10NC60KDT4STMicroelectronics

STGB10NC60KDT4

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STGB10NC60KDT4
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 600V 20A 65W D2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STGB10NC60KDT4.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 5A
  • Condición de prueba
    390V, 5A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    17ns/72ns
  • Cambio de Energía
    55µJ (on), 85µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    D2PAK
  • Serie
    PowerMESH™
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    22ns
  • Potencia - Max
    65W
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    497-5736-6
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • puerta de carga
    19nC
  • Descripción detallada
    IGBT 600V 20A 65W Surface Mount D2PAK
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    30A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    20A
  • Número de pieza base
    STG*10NC

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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