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4228471Imagen STGD18N40LZ-1STMicroelectronics

STGD18N40LZ-1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STGD18N40LZ-1
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 420V 25A 125W IPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STGD18N40LZ-1.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    420V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.7V @ 4.5V, 10A
  • Condición de prueba
    300V, 10A, 5V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    650ns/13.5µs
  • Cambio de Energía
    -
  • Paquete del dispositivo
    I-PAK
  • Serie
    PowerMESH™
  • Potencia - Max
    125W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Otros nombres
    497-15121-5
    STGD18N40LZ-1-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Logic
  • Tipo de IGBT
    -
  • puerta de carga
    29nC
  • Descripción detallada
    IGBT 420V 25A 125W Through Hole I-PAK
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    40A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    25A
  • Número de pieza base
    STG*18N

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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