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211571Imagen STGD6NC60H-1STMicroelectronics

STGD6NC60H-1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STGD6NC60H-1
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT N-CH 600V 7A IPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STGD6NC60H-1.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 3A
  • Condición de prueba
    390V, 3A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    12ns/76ns
  • Cambio de Energía
    20µJ (on), 68µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    IPAK (TO-251)
  • Serie
    PowerMESH™
  • Potencia - Max
    62.5W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Otros nombres
    497-15023-5
    STGD6NC60H-1-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • puerta de carga
    13.6nC
  • Descripción detallada
    IGBT 600V 15A 62.5W Through Hole IPAK (TO-251)
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    21A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    15A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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