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5046047Imagen STGW15M120DF3STMicroelectronics

STGW15M120DF3

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600+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    STGW15M120DF3
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1200V 30A 259W
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STGW15M120DF3.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 15A
  • Condición de prueba
    600V, 15A, 22 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    26ns/122ns
  • Cambio de Energía
    550µJ (on), 850µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    270ns
  • Potencia - Max
    259W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    497-15057-5
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    42 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    226nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    60A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    30A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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