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5610474Imagen STGW80H65DFB-4STMicroelectronics

STGW80H65DFB-4

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STGW80H65DFB-4
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT BIPO 650V 80A TO247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STGW80H65DFB-4.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 80A
  • Condición de prueba
    400V, 80A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    84ns/280ns
  • Cambio de Energía
    2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247-4L
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    85ns
  • Potencia - Max
    469W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-4
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    42 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    414nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-4L
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    240A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    120A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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