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1123895Imagen STGWA75M65DF2STMicroelectronics

STGWA75M65DF2

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STGWA75M65DF2
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STGWA75M65DF2.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 75A
  • Condición de prueba
    400V, 75A, 3.3 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    47ns/125ns
  • Cambio de Energía
    690µJ (on), 2.54mJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247 Long Leads
  • Serie
    M
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    165ns
  • Potencia - Max
    468W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    497-16975
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    42 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    225nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 650V 120A 468W Through Hole TO-247 Long Leads
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    225A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    120A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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