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6349955Imagen STGWT20V60DFSTMicroelectronics

STGWT20V60DF

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$1.746
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Especificaciones
  • Número de pieza
    STGWT20V60DF
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 600V 40A 167W TO3P-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STGWT20V60DF.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 20A
  • Condición de prueba
    400V, 20A, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    38ns/149ns
  • Cambio de Energía
    200µJ (on), 130µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-3P
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    40ns
  • Potencia - Max
    167W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Otros nombres
    497-13769-5
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    116nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Through Hole TO-3P
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    80A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    40A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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