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4421368Imagen STL100N8F7STMicroelectronics

STL100N8F7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STL100N8F7
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.STL100N8F7.pdf
    2.STL100N8F7.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerFlat™ (5x6)
  • Serie
    STripFET™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    6.1 Ohm @ 10A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    4.8W (Ta), 120W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerVDFN
  • Otros nombres
    497-16502-2
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    38 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3435pF @ 40V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    46.8nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    80V
  • Descripción detallada
    N-Channel 80V 100A (Tc) 4.8W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

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27/09/2024
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