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73062Imagen STL20DN10F7STMicroelectronics

STL20DN10F7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STL20DN10F7
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STL20DN10F7.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    PowerFlat™ (5x6)
  • Serie
    DeepGATE™, STripFET™ VII
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    67 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Potencia - Max
    62.5W
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerVDFN
  • Otros nombres
    497-14967-6
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    38 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    408pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    7.8nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 62.5W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    20A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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