STL9P2UH7

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Especificaciones

Número de pieza

STL9P2UH7
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
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Descripción

MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STL9P2UH7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie

STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.9W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-15147-2
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 9A (Tc) 2.9W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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STL90N3LLH6

Descripción: MOSFET N-CH 30V 24A POWERFLAT5X6

Fabricantes: STMicroelectronics

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