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3192323Imagen STS1DN45K3STMicroelectronics

STS1DN45K3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STS1DN45K3
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STS1DN45K3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 50µA
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    SuperMESH3™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    3.8 Ohm @ 500mA, 10V
  • Potencia - Max
    1.3W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    497-10780-2
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    150pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    450V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 450V 500mA 1.3W Surface Mount 8-SO
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    500mA
  • Número de pieza base
    ST*1DN

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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