STSJ60NH3LL

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Especificaciones

Número de pieza

STSJ60NH3LL
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STSJ60NH3LL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOIC-EP
Serie

STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

5.7 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Ta), 50W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Otros nombres

497-5252-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1810pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

24nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 60A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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