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STSJ60NH3LL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STSJ60NH3LL
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STSJ60NH3LL.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-SOIC-EP
  • Serie
    STripFET™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5.7 mOhm @ 7.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    3W (Ta), 50W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • Otros nombres
    497-5252-1
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1810pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    24nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 60A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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