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659448Imagen STTH112RLSTMicroelectronics

STTH112RL

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STTH112RL
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO41
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STTH112RL.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.9V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1200V
  • Paquete del dispositivo
    DO-41
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    75ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Otros nombres
    497-14739-2
    STTH112RL-ND
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    175°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    29 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1200V 1A Through Hole DO-41
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 1200V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    STTH112

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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