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1691357Imagen STTH3010PISTMicroelectronics

STTH3010PI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STTH3010PI
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STTH3010PI.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2V @ 30A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1000V
  • Paquete del dispositivo
    DOP3I
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    100ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    DOP3I-2 Insulated (Straight Leads)
  • Otros nombres
    497-6748-5
    STTH3010PI-ND
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    175°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1000V 30A Through Hole DOP3I
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    15µA @ 1000V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    30A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    STTH3010

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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