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2395624Imagen STTH5R06GY-TRSTMicroelectronics

STTH5R06GY-TR

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5000+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    STTH5R06GY-TR
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 5A D2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STTH5R06GY-TR.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    3.2V @ 5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    D²PAK
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    35ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    497-12357-2
    STTH5R06GYTR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    175°C (Max)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    29 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 5A Surface Mount D²PAK
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    30µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    5A
  • Capacitancia Vr, F
    -
  • Número de pieza base
    STTH5R06

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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