STV200N55F3

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Especificaciones

Número de pieza

STV200N55F3
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STV200N55F3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

10-PowerSO
Serie

STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

2.5 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Otros nombres

497-7028-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

100nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

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